FLASH – особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Впервые была разработана компанией Toshiba в 1984 году. В 1988 году корпорация Intel разработала собственный вариант флэш-памяти. Основное отличие флэш-памяти от памяти EEPROM заключается в том, что стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ.
