Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Серия: Электроника
Автор: М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков
Издательство: Бином. Лаборатория знаний
Год выпуска: 2009
ISBN: 978-5-94774-585-6, 978-5-94774-583-2
Формат: 60x90/16
Кол-во страниц: 424
Описание: Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области
Фактор риска
Фактор риска (riskfactor) - характерный признак, такой, как привычка человека (например, курение) или воздействие ...
Оптимальные условия труда
Оптимальные условия труда - предпосылки для поддержания высокого уровня работоспособности (Руководство P 2.2.2006-05).
Защита временем
Защита временем - уменьшение вредного действия неблагоприятных факторов рабочей среды и трудового процесса на работников за ...
Действие мутагенное
Действие мутагенное - влияние факторов, вызывающих изменение генотипа как в естественных, так и в искусственно созданных ...
Вредный производственный фактор
Вредный производственный фактор - производственный фактор, воздействие которого на работника может привести к его заболеванию ...
Эпидемиология
Эпидемиология (от греч. epi - в, на и demos - народ и logos - наука) - наука, изучающая причины возникновения и закономерности ...